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        簡述銅門的電鍍工藝

        時(shí)間:2025/6/4 19:49:43

        銅門的電鍍工藝是通過電解反應(yīng)在銅門表面附著一層金屬或合金鍍層,以提升美觀度、耐腐蝕性和耐磨性。以下是其核心工藝步驟及要點(diǎn)的簡述: 一、前處理:清潔與表面活化 1.除油 目的:去除銅門表面的油脂、蠟質(zhì)及污染物(如指紋、切削液)。
              銅門的電鍍工藝是通過電解反應(yīng)在銅門表面附著一層金屬或合金鍍層,以提升美觀度、耐腐蝕性和耐磨性。以下是其核心工藝步驟及要點(diǎn)的簡述:
        一、前處理:清潔與表面活化
        1.除油
            目的:去除銅門表面的油脂、蠟質(zhì)及污染物(如指紋、切削液)。
            方法
               化學(xué)除油:用堿性溶液(如氫氧化鈉、碳酸鈉)浸泡或噴淋,通過皂化反應(yīng)去除油脂。
               超聲波除油:結(jié)合超聲波振動,加速油脂脫離表面,適合復(fù)雜紋路的銅門。
        2.除銹與拋光
             目的:去除氧化膜(銅綠),提升表面平整度。
             方法
                酸洗:用稀硫酸或鹽酸溶液短時(shí)間浸泡,溶解氧化物(需嚴(yán)格控制時(shí)間,避免過度腐蝕)。
                機(jī)械拋光:用研磨膏、砂輪或拋光輪物理打磨,使表面粗糙度(Ra)降至 0.8μm 以下。
        3.活化
              目的:去除酸洗后殘留的鈍化膜,露出新鮮金屬表面,增強(qiáng)鍍層附著力。
              方法:用稀硫酸或氰化物溶液(環(huán)保工藝可用無氰活化劑)短暫浸蝕,使表面微觀粗糙化。
        二、電鍍工藝:鍍層沉積
        根據(jù)功能需求,銅門電鍍通常分為打底鍍層和裝飾 / 防護(hù)鍍層兩步:
        1. 打底鍍層(預(yù)鍍)
            作用:增強(qiáng)基體與表面鍍層的結(jié)合力,防止銅離子向表面擴(kuò)散影響外觀。
            常見工藝
            氰化物預(yù)鍍銅:傳統(tǒng)工藝,鍍層致密但需嚴(yán)格管控氰化物毒性(逐步被淘汰)。
            無氰預(yù)鍍鎳 / 銅:環(huán)保型工藝,用氨基磺酸鎳或焦磷酸銅溶液,通過電解在銅表面沉積 5~10μm 的鎳或薄銅層。
        2. 裝飾 / 防護(hù)鍍層
            作用:賦予銅門金屬光澤、顏色(如仿金、古銅)及耐腐蝕性能。
        三、后處理:提升鍍層性能
        1.鈍化處理
            目的:在鍍層表面形成化學(xué)鈍化膜,防止氧化變色。
            方法
               鉻酸鹽鈍化:傳統(tǒng)工藝,耐蝕性優(yōu)良但含六價(jià)鉻(環(huán)保要求下逐步被替代)。
               無鉻鈍化:用鈦鹽、硅酸鹽等溶液處理,形成透明防護(hù)膜,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。
        2.封釉(封閉處理)
              目的:進(jìn)一步隔離鍍層與外界環(huán)境,增強(qiáng)抗變色能力。
              方法
                 有機(jī)涂層:噴涂清漆、丙烯酸樹脂或納米涂料,形成 0.5~2μm 透明保護(hù)膜,耐鹽霧測試可達(dá) 500 小時(shí)以上。
                 電解封閉:在熱水或鎳鹽溶液中電解,使鍍層微孔閉合,適合仿古銅門的做舊效果固定。
        3.機(jī)械拋光與著色(可選)
              對鍍層進(jìn)行機(jī)械拋光(如布輪拋光)可提升光澤度;通過化學(xué)著色劑(如硫化鉀、硝酸銀)可實(shí)現(xiàn)古銅、青銅等特殊顏色效果。
        四、關(guān)鍵工藝參數(shù)控制
        1.電流密度:直接影響鍍層厚度與均勻性。例如,鍍鎳時(shí)電流密度通常為 1~5A/dm2,過高易導(dǎo)致鍍層粗糙。
        2.溫度與 pH 值:電解液溫度影響沉積速率(如鍍仿金需控制在 30~50℃),pH 值影響離子解離(鍍銅電解液 pH 常控制在 8~10)。
        3.電鍍時(shí)間:根據(jù)鍍層厚度需求調(diào)整,如 20μm 鎳層需電鍍約 60 分鐘(電流密度 2A/dm2 時(shí))。
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